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高端装备—IGBT产业投资分析

时间:2014-11-10  来源:高端装备发展研究中心  声明:原创报告 版权保护 禁止转载

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域,是目前发展最为迅速的新一代功率器件。

  行业竞争:国内IGBT产业刚刚起步,与国外企业存在较大技术差距

  目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控,前十大的厂商主要是欧美、日本以及台湾的厂商,包括美国国际整流器公司(IR)、意法半导体(STMicroelectronics)公司、飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)、富士通(Fujitsu)株式会社、英飞凌公司、赛米控(Semikron)公司、三肯(Sanken)电气株式会社、三菱电机株式会社MitsubishiElectricCorp、东芝公司、美国艾赛斯功率半导体公司(IXYS)等。我国企业在技术、设备以及人才等各方面与国外头很大差距,在设计、制造、封装以及单管封装等IGBT产品生产环节都有非常大的提升空间。

  市场前景:国内IGBT产业需求明确,市场增长空间广阔

  国内IGBT市场需求正快速增长,目前已成为全球最大的IGBT消费市场。据Yole Developpement统计,2011年IGBT分离式元件及模组总销售额为35亿美元,但未来几年产值成长可能有波动,将呈现锯齿状的变化。如果全球景气回升并持稳的话, 2014年将小幅放缓,2015年成长则将趋于稳定。增速达到30%。IGBT市场规模占功率器件总市场规模比例为7.05%。未来受益于高铁、变频器产业、变频家电产业的大力推动,国内IGBT市场增长空间非常大。

  IGBT产业投资分析

  国内IGBT产业正处于起步阶段,在行业发展初期,芯片制造环节利润最为丰厚,拥有 IGBT 芯片制造技术的企业成为优先考虑条件之一。

  而在"进口替代"的投资逻辑下,IGBT 制造技术突破顺序成为企业受益的先决条件,因此,技术突破顺序也是考虑因素。

  本土市场是这些企业实现技术突破的关键因素,对企业的选择也要立足于最贴近本土市场的企业。 

  IGBT相关技术、企业及产品详见太阳谷最新出炉的《国内外IGBT技术创新及产品研发趋势调研报告》。

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