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新型低功耗高性能光电子技术、器件研制与应用调研报告

时间:2017-07-26  来源:高端装备发展研究中心  声明:原创报告 版权保护 禁止转载
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【正文目录】

  第一章 光电子技术、器件发展及应用分析

      第一节 新型低功耗高性能光电子发展概述

      第二节 典型光电子器件

          一、激光器

          二、光放大器

          三、光电探测器

          四、集成器件

          五、显示器件

      第三节 光电子技术发展趋势

          一、集成化

          二、拓宽应用范围

          三、环境适应能力强

  第二章 硅基光电子关键技术、器件及发展趋势调研分析

      第一节 硅基光电子关键技术

          一、硅基光波导设计及损耗控制

          二、硅基光电子器件封装

          三、硅基光电子器件混合集成技术

          四、硅基器件全光信号处理技术

      第二节 SOI材料

          一、SOI材料制备技术

          二、SOI器件电离辐射效应

          三、SOI抗辐射加固技术

      第三节 硅基激光器

          一、硅基量子限制激光器

          二、硅基稀土掺杂激光器

          三、硅基拉曼激光器

          四、锗硅激光器

          五、III-V族化合物和硅混合集成激光器

      第四节 硅基探测器

          一、肖特基探测器

          二、III-V族材料异质探测器

          三、锗硅探测器

          四、硅基长波长探测器

          五、硅基谐振腔增强型光电探测器(RCEPD)

      第五节 其他硅基光电子器件

      第六节 硅基光电子及器件最新专利

          一、一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器

          二、用于轨迹探测的四象限硅基光电探测器

          三、一种可见光及近红外波段硅基光波导集成光电探测器

          四、一种硅基混合集成雪崩光电探测器

          五、近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法

          六、1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法

          七、硅基锗光电探测器

          八、一种高功率大带宽锗硅光电探测器

          九、一种硅基调制器偏置点控制装置

          十、非接触硅基光电器件少数载流子寿命检测仪及检测方法

          十一、一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法

          十二、一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法

      第七节 硅基光电子及器件未来发展趋势分析

  第三章 石墨烯基光电子关键技术、器件及发展趋势调研分析

      第一节 石墨烯基光电子关键技术

          一、石墨烯与光相互作用增强方式

          二、拉曼光谱信号干涉增强特性

          三、能带调控技术

      第二节 面向光电子研究的石墨烯材料

          一、石墨烯/SnO2纳米复合材料

          二、石墨烯/TiO2纳米复合材料

          三、石墨烯/CdSe纳米复合材料

          四、三维石墨烯

      第三节 石墨烯基激光器

          一、石墨烯基锁模光纤激光器

          二、石墨烯基调Q光纤激光器

          三、石墨烯基固体激光器

      第四节 石墨烯基探测器

          一、石墨烯基超快、宽波段探测器

          二、等离子体增强石墨烯探测器

          三、共振腔增强型墨烯光探测器

          四、波导型石墨烯探测器

          五、叠层范德华异质结型石墨烯探测器

          七、谐振腔增强型石墨烯探测器

          八、THz谐振腔型石墨烯探测器

          九、多层石墨烯纳米带探测器

      第五节 其他石墨烯基光电子器件

      第六节 石墨烯-硅混合光电子器件

          一、石墨烯-硅探测器

          二、石墨烯-硅调制器

          三、石墨烯-硅相移器

          四、其他石墨烯-硅光电器件

          五、非线性光信号处理

      第七节 石墨烯基光电子及器件专利

          一、石墨烯光电探测器

          二、一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器

          三、一种基于氧化石墨烯的光电化学双功能传感器

          四、一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器

          五、一种肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法

          六、一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器及其制备方法

          七、三维石墨烯泡沫复合纳米硫化镉光电化学电极的制备方法

          八、石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法

          九、一种具有石墨烯层的氮化镓基光电器件外延结构及其制备方法

          十、一种基于石墨烯光电器件的光电集成电路

          十一、稳定改善石墨烯光电性能的退火方法

          十二、一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法

      第八节 石墨烯基光电子及器件未来发展趋势分析

  第四章 微波光子关键技术、器件及发展趋势调研分析

      第一节 微波光电子关键技术

          一、微波光子链路

          二、光生微波信号技术

          三、微波信号光学处理

      第二节 大动态范围微波光子下变频方法

          一、光子下变频技术

          二、基于双平行马赫-曾德尔调制器

          三、基于强度-相位级联调制

          四、基于光载波抑制调制(星间)

      第三节 微波光子链路

          一、低噪声系数微波光子链路设计

          二、超高速微波光子链路传输系统

          三、外调制微波光子链路性能分析

          四、临近空间微波光子传输链路性能分析

          五、基于双波长双并联调制的动态范围优化方法

          六、宽带大动态混合链路优化方法

      第四节 微波光子滤波器研制进展(含专利)

          一、法布里-珀罗(F-P)滤波器

          二、基于受激布里渊散射(SBS)的微波光子滤波器

              1、可切换微波光子滤波器

              2、通带可变微波光子滤波器

              3、可调谐单通带微波光子滤波器

              4、可调谐双通带微波光子滤波器

          三、可调谐微波光子滤波器

              1、基于四波混频连续可调谐

              2、基于电光法珀腔快速可调谐

              3、基于多波长激光器和MZ干涉可重构可调谐

              4、基于高双折射光子晶体光纤与光纤环超宽带可调谐

          四、基于交叉偏振调制的微波光子滤波器

          五、一种用于无线局域网的高形状因子的双通带微波光子滤波器

          六、一种基于微环与马赫曾德尔干涉结构的微波光子带阻滤波器

          七、基于高双折射光子晶体光纤多波长激光器与色散级联器件的微波光子滤波器

      第五节 微波光子雷达

          一、关键技术

          二、微波光子相控阵雷达

          三、单波段光子学软件定义全相干雷达

          四、多相干波段光子学相干雷达

      第六节 微波光子技术最新专利

          一、微波光子相移装置及方法

          二、一种基于双波长微环调制器的微波光子链路高线性度方法

          三、一种基于双偏振硅基马赫曾德尔调制器的微波光子链路的高线性度方法

          四、一种包含双环耦合硅基光子芯片的微波光子频率测量系统

          五、一种基于电光法珀腔的微波光子学频率测量装置

          六、可调谐单通带微波光子希尔伯特变换滤波系统

          七、一种线性调频信号微波光子倍频方法及其装置

          八、一种基于微波光子技术的射频交换方法

          九、超高速微波光子信号融合远端机

          十、一种零中频的微波光子信道化接收机的装置及方法

          十一、基于微波光子的雷达通信对抗一体化系统

      第七节 微波光子技术未来发展趋势

  第五章 纳米光电子器件及趋势调研分析

      第一节 纳米等离子体激光器

          一、表面等离子体-光模混合纳米激光器

          二、金属纳米腔体半导体异质结等离子体激光器

          三、亚波长金属-介质-半导体等离子体激光器

          四、纳米线阵列等离子体激光器

      第二节 量子阱激光器

          一、Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱制备

          二、隧道结级联量子阱锁模激光器设计

          三、布拉格反射波导光子晶体宽光谱量子阱激光器设计

          四、InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数优化

          五、锑化镓基量子阱激光器外延生长方法

          六、多量子阱激光器有源层应变补偿方法

      第三节 其他纳米光电子器件

      第四节 纳米光电子最新专利

          一、一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器

          二、一种钙钛矿纳米结构等离子体激光器

          三、一种基于钙钛矿纳米线的表面等离激元激光器

          四、一种基于表面等离子体增强的纳米激光器

          五、基于金属尖端/空气槽的表面等离子体激元的纳米激光器

          六、一种基于绝缘介质空气槽的表面等离子激元纳米激光器

          七、表面等离子激元纳米激光器的增益波导结构

      第五节 纳米光电子未来发展趋势分析

  第六章 国外新型低功耗高性能光电子研制单位调研(排名不分先后)

      第一节 国外新型低功耗高性能光电子研究单位

          一、美国加利福尼亚大学(Mesoscopic Optics and Quantum Electronics Laboratory)

          二、美国哥伦比亚大学(The Lightwave Research Laboratory)

          三、英国剑桥大学(The Optoelectronics Group)

          四、英国南安普顿大学(The Optoelectronics Research Centre)

          五、西班牙光子科学研究所(The Institute of Photonic Sciences in Barcelona)

          六、日本理化学研究所(RIKEN Center for Advanced Photonics)

      第二节 国外光电子器件生产单位

          一、美国Luxtera公司

          二、美国光电子应用公司(AOI)公司

          三、美国Finisar公司

          四、美国Optoelectronics公司

          五、英国M Squared公司

  第七章 国内新型低功耗高性能光电子研制单位调研(排名不分先后)

      第一节 国内新型低功耗高性能光电子主要研制单位

          一、中国科学院半导体研究所(集成光电子国家重点实验室)

          二、中国科学院光电技术研究所

          三、中国科学院微电子研究所

          四、中国科学院长春应用化学研究所

          五、武汉光电国家实验室(筹)

          六、中国电子科技集团公司第三十四研究所

          七、中国电子科技集团公司第三十八研究所

          八、中国电子科技集团公司第五十五研究所

      第二节 国内新型低功耗高性能光电子主要研究院校

          一、清华大学(光电工程研究所)

          二、北京大学(区域光纤通信网与新型光通信系统国家实验室)

          三、北京航空航天大学(光电技术研究所)

          四、北京理工大学(微纳技术中心)

          五、北京交通大学(光电子技术研究所)

          六、上海交通大学(区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室)

          七、浙江大学(光及电磁波研究中心)

          八、华中科技大学(光学与电子信息学院)

          九、西安电子科技大学(新型光电子器件开发与应用研究团队)

          十、哈尔滨工业大学(光电子技术研究所)

          十一、长春理工大学(高功率半导体激光国防科技国家重点实验室)

  第八章 国内外新型低功耗高性能光电子技术、器件最新成果

      第一节 国外新型低功耗高性能光电子技术、器件最新成果

          一、美国普林斯顿大学研发出世界上首个光电子神经网络芯片

          二、美国威斯康星大学在单晶锗纳米膜光电探测器研究中取得进展

          三、美国研发出可增强光电器件和太阳能电池板功能的新一代光电子材料

          四、西班牙研究人员发现石墨烯-CMOS集成光电探测器的可检测波长范围更宽

          五、日本神户大学发现双光子上转换太阳能电池理论效率可达63%

      第二节 国内外新型低功耗高性能光电子技术、器件最新专利

          一、一种含埋氧层结构的光电探测器

          二、无金属接触的近红外锗光电探测器

          三、一种可视化的自驱动紫外光电探测器及其制备方法

          四、一种可见光蓝光探测器的模型的设计方法

          五、一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器

          六、基于弛豫GeSn材料的光电探测器

          七、光电子器件、半导体基板及其制作方法

  第九章 我国新型低功耗高性能光电子器件未来发展前景分析

      第一节 我国新型低功耗高性能光电子器件发展环境分析

          一、经济发展环境分析

          二、国家政策分析

          三、科技条件分析

          四、社会需求分析

          五、总体发展环境SWOT分析

      第二节 我国新型低功耗高性能光电子器件未来应用前景分析

          一、光通信

          二、军事

          三、医疗

          四、工业

      第三节 2017-2022年我国光电子器件市场规模预测分析

          一、2017-2022年全球光电子器件市场规模预测

          二、2017-2022年我国光电子器件市场规模预测

  第十章 我国新型低功耗高性能光电子技术、器件未来发展建议

      第一节 国内外新型低功耗高性能光电子技术、器件对比

      第二节 我国光电子器件生产单位未来发展建议

          一、我国光电子行业企业竞争分析

          二、我国光电子器件生产企业面临的挑战

          三、我国光电子器件生产企业发展建议

      第三节 我国光电子技术研究单位未来发展建议

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